Si CMOS 基板上ミリ波帯オンチップダイポール・ループ・パッチアンテナの放射効率の電磁界シミュレーション(生体,EMC,一般)
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概要
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Si CMOS基板上オンチップダイポール、ループ、パッチアンテナの放射効率の電磁界シミュレーションを行った。ウェル層の等価媒質定数は厚さ1μm、導電率10^5S/mと仮定すると実験値と計算値がよく一致することが確認できた。オンチップダイポールアンテナ、ループアンテナについて放射効率のシリコン基板の導電率依存性を調べ、導電率0.1S/m(抵抗率1kΩcm)以下であると損失が無視でき、アンテナの形状に依存しないことがわかった。オンチップパッチアンテナの損失は導体損が主要因であり、パッチ導体とグランド板の高さが100μm以上になると導体損が無視できることがシミュレーション結果からわかった。
- 2012-10-18
著者
-
安藤 真
東京工業大学
-
平野 拓一
東京工業大学
-
岡田 健一
Tokyo Inst. Of Technol. Yokohama‐shi Jpn
-
広川 二郎
東京工業大学
-
岡田 健一
東京工業大学
-
広川 二郎
東京工業大学理工学研究科
-
平野 拓一
東京工業大学理工学研究科
-
平野 拓一
東京工業大学理工学研究科国際開発工学専攻
-
安藤 真
東京工業大学理工学研究科電気電子工学専攻
-
平野 拓一
東京工業大学大学院理工学研究科国際開発工学専攻
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