300MHz/1V動作0.8μm SIMOX/CMOS PLLシンセサイザ

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概要

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• 超薄膜SOI技術の可能性を実用面から検討するために、0.8umCMOS量産プロセス相当の条件でSIMOX/CMOSPLLを作製した.その結果、乾電池一本に相当する1V電源で最高動作周波数465MHz、動作時の消費電流1.65mA(300MHz)、待機時の消費電流73uA、300MHz動作での最小入力振幅0.18Vがえられた.これらの特性は、超薄膜SOIトランジスタ内の寄生容量が小さいことにより実現された.試作SIMOX/PLLは携帯通信機器であるページャ(280MHz)やコードレス電話(400MHz)の1V動作を保証でき、0.8um量産レベルにおいてSOI/CMOS技術が充分実用にたえることを確認した.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-06-22

著者

• 助川 和雄

  富士通(株)電子デバイス事業推進本部プロセス開発部

• 壷井 修

  富士通・半導体プロセス開発部

• 河村 誠一郎

  富士通(株)プロセス開発部

• 河村 誠一郎

  富士通(株)電子デバイス事業推進本部プロセス開発部

• 壷井 修

  富士通(株)電子デバイス事業推進本部プロセス開発部

• 藁科 卓

  富士通(株)電子デバイス事業推進本部プロセス開発部

• 川合 真一

  富士通(株)電子デバイス事業推進本部プロセス開発部

• 壷井 修

  富士通(株)dram事業部

• 藁科 卓

  富士通研

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