超低電圧バイポーラ線形トランスコンダクタンスアンプの構成方法
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
超低電圧で動作可能なバイポーラ線形トランスコンダクタンスアンプの設計手法を明かにする。従来のmulti-tanh技術をはじめに論じ、分圧抵抗を持つ最適化差動対と、トリプルテールセルやクァドリテールセルなどのマルチテールセルもまた超低電圧で動作可能なバイポーラ線形トランスコンダクタンスアンプとして論じる。さらに、超低電圧で動作可能で広い実用的な線形入力電圧範囲を有するバイポーラ線形トランスコンダクタンスアンプを実現する方法として、新たに、スーパーmulti-tanh技術とウルトラmulti-tanh技術を提案する。これらの技術は、multi-tanhセルの不平衡あるいは平衡差動対をトリプルテールセルに置き換えることで実現できる。したがって、従来のmulti-tanh技術は、不平衡あるいは平衡差動対の代わりにトリプルテールセルを用いることでスーパーmulti-tanh技術とウルトラmulti-tanh技術に拡張できる。これらの超低電圧で動作可能なバイポーラ線形トランスコンダクタンスアンプのそれぞれの差動出力電流は、分子が双極正弦関数の和、分母が双極余弦関数の和で示される分数の形で表される。さらに、multi-tanhダブレット、分圧抵抗を持つ最適化差動対、トリプルテールセル、クァドリテールセル、スーパーmulti-tanhダブレットやウルトラmulti-tanhダブレットなど、これらの超低電圧で動作可能なバイポーラ線形トランスコンダクタンスアンプの伝達曲線を電源電圧1Vで測定し、これらを図示するとともに、得られた実用的な線形入力電圧範囲を比較した。
- 1995-09-22
著者
関連論文
- トランジスタを負荷に持つMOS差動対とクァドリテールセルから構成されNチャネル単位トランジスタのみからなるチューニング可能なMOS線形トランスコンダクタンスアンプと高精度2乗回路の実現方法
- トランジスタを負荷に持つMOS差動対とクァドリテールセルから構成されNチャネル単位トランジスタのみからなるチューニング可能なMOS線形トランスコンダクタンスアンプと高精度2乗回路の実現方法
- A-11 新しいバイポーラ・マルチプライヤ・コア回路(A-1. 回路とシステムC,一般講演)
- 超低電圧バイポーラ線形トランスコンダクタンスアンプの構成方法
- SA-1-4 電流モードで動作させることで実現される低電圧基準電圧回路
- A-1-64 電流2乗回路をチューニング回路に用いたMOS線形トランスコンダクタンスアンプの構成例
- トランジスタを負荷とするMOS差動対を用いることで実現される高精度MOSアナログファンクションブロック
- 差動能動負荷(DAL)を用いたチューニング可能なMOS線形トランスコンダクタンスアンプの構成例
- 平方根回路を用いたMOS差動対の線形化手法
- 抵抗加算回路とオクトテールセルを用いて実現される超低電圧バイポーラ・トリプラ
- 抵抗加算回路と整合差動体を用いて実現されるバイアスオフセット技術に基づく低電圧バイポーラ・クォータスクェア・マルチプライヤ
- オクトテールセルを用いた超低電圧バイポーラ・トリプラ・コア回路
- 理想化リニアゲインセルの実現方法と並列構成を用いた低電圧化手法
- 低電圧MOS OTAの構成方法
- クァドリテールセルをマルチプライヤ・コア回路として用いて実現されるMOS4象限アナログマルチプライヤ
- スーパーmulti-tanh技術を用いて実現される低電圧動作可能なバイポーラOTA
- 差動減算カレントミラー回路を用いて実現される超低電圧動作可能なバイポーラ・マルチプライヤ