FDTD法を用いたマイクロストリップ共振器のQ値の解析
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概要
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酸化物超伝導体の表面抵抗を測定するために、マイクロストリップ線路共振器法が用いられている.この方法は共振器のQ値を測定することにより, 超伝導体の損失を求めるものであり, 超伝導体の損失は非常に小さいため, 誘電体基板の誘電体損や導体キャビティの導体損が無視できない.そこで, 導体の表面抵抗や誘電体損失によるQ値を予め求めておく必要がある.FDTD法を用いたMSL共振器のQ値の解析法は, 複雑な構造のMSLを取り扱うことができるという利点を有する反面, 高いQ値を求めることは困難である.本報告では, FDTD法による3通りの手法を用いて共振器のQ値の解析を行い, 導体損と誘電体損によるQ値を計算する.また, Q値が高い場合にこれらの方法の有効性について検討する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-16
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