FDTD法による半導体リレーの数値解析

元データ 2001-06-14

概要

近年, 電子機器の駆動周波数が高くなっており, 半導体デバイスの高周波化対応の必要性が増大している. ICテスタやオシロスコープなどの計測機器やモデムなどの情報通信機器に利用されている半導体リレー素子も, さらに高周波対応のものが必要になると考えられている. 本研究では, 半導体リレー素子の特性解析および高周波特性の改善設計を行うことを目的として, 半導体リレー素子の特性をFDTD法を用いて解析し, 半導体リレー素子の0N時, OFF時のSパラメータ数値解析結果及び測定結果を示している.

著者

澤谷 邦男 東北大学大学院工学研究科
陳 強 東北大学大学院工学研究科電気通信工学専攻
陳 強 東北大学大学院工学研究科
平田 勝弘 松下電工株式会社
一井 義孝 松下電工(株)解析評価技術センター
一井 義孝 松下電工株式会社
安並 一浩 東北大学大学院工学研究科
陳 強 東北大学大学院 工学研究 科電気通信工学専攻
澤谷 邦男 東北大学大学院 工学研究 科電気通信工学専攻

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