V溝マイクロストリップ線路の伝送特性
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概要
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モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)の小型化・高集積化,多層化,高周波数化に伴いマイクロストリップ線路が微細化し,ストリップ導体縁端部の電流集中によって導体損が増大する。このストリップ導体縁端部の電流集中を緩和し導体損を低減する方法の一つとして,V溝マイクロストリップ線路が提案されている。本論文では,部分境界積分方程式法を用いてV溝マイクロストリップ線路の伝送特性の数値解析を行なった。その結果,GaAsのような高誘電率の誘電体基板を用いた50Ω線路では,適切なV溝の幅,角度およびストリップ導体幅を施すとマイクロストリップ線路に対して20〜30%程度の低損失化が図れることがわかった。またポリイミドのような低誘電率の誘電体基板を用いた場合には低損失化が図れないことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-19
著者
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