反応性熱CVD法による多結晶Si_<1-x>Ge_x薄膜の低温堆積とTFTへの応用(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
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概要
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大面積デバイスへの適用を目的として新しい原理に基づく低温CVD法-反応性熱CVD法の開発を行い,シリコンリッチ多結晶シリコンゲルマニウム(Si_<1-x>Ge_x)薄膜を作製した.この方法によって得られる多結晶SiGe膜が従来の低温CVD法に比べて,200nm程度の極薄膜においてもデバイスへ適用可能な高い結晶性を示すことを述べた.更に,この方法によって450℃で堆積した高シリコン組成の200nmの多結晶Si_<1-x>Ge_x (x<0.02)を用いて,ボトムゲート型薄膜トランジスタを作製し,約36cm^2/Vsの移動度が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-07-25
著者
-
半那 純一
東京工業大学 大学院理工学研究科 附属像情報工学研究施設
-
張 建軍
東京工業大学大学院理工学研究科附属像情報工学研究施設
-
清水 耕作
東京工業大学像情報工学研究施設
-
半那 純一
東京工業大学大学院理工学研究科
-
清水 耕作
東京工業大学大学院理工学研究科附属像情報工学研究施設
-
半那 純一
東京工業大学 像情報工学研究所
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