変調散乱素子を用いた非侵襲的近傍電磁界測定法
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概要
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近年,情報通信の高速化,大容量化に伴い,電子機器の動作周波数が高くなっているため,不要電磁波の発生が重要な問題になっている.これらの電子機器から放射される不要電磁波の位置と原因を特定するために,近傍電磁界を高精度で測定する必要がある.しかし,近傍電磁界の測定では,プローブとそれにつなぐケーブルの影響のため,高精度な近傍電磁界の測定が困難である.本報告では,プローブの影響を低減するために,ワイヤレスでかつ小形な変調散乱素子(Modulated Scattering Element, MSE)を用いた近傍電磁界の測定法を提案し,その妥当性について検討する.
- 2004-06-23
著者
-
澤谷 邦男
東北大学大学院工学研究科
-
陳 強
東北大学大学院工学研究科電気通信工学専攻
-
陳 強
東北大学大学院工学研究科
-
チャカロタイ ジェドヴィスノプ
東北大学大学院工学研究科電気通信工学専攻
-
チャカロタイ ジェドヴィスノプ
東北大学大学院工学研究科
-
陳 強
東北大学大学院 工学研究 科電気通信工学専攻
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