X線光電子分光法による電子線照射されたポリエーテルエーテルケトンの分析
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概要
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放射線場で高分子を使用する際には, 放射線に対する材料の挙動をあらかじめ把握しておく必要がある.本研究では耐放射線性高分子として期待されるポリエーテルエーテルケトン(PEEK)に高エネルギー電子線を照射させることにより放射線照射効果をX線光電子分光法で解析した.種々の線量を照射した試料の表面の構造変化を, 半結晶性と非晶性の試料について比較検討した.表面においては近傍の酸素との反応によりカルボキシル基が生成し, その量は照射線量に依存して増加した.又, 半結晶性PEEKは非晶性PEEKに比べ照射によるカルボキシル基の増加の割合が大きく, 試料の結晶化度により酸化の速度が異なることが認められた.最表面においては芳香環が分解されていることがスペクトルの解析から示唆された.
- 1995-03-05
著者
-
瀬口 忠男
日本原子力研究所高崎研究所
-
小林 慶規
工業技術院化学技術研究所
-
小林 慶規
物質工学工業技術研究所
-
大藪 又茂
(株)島津製作所第二分析事業部
-
瀬口 忠男
原研高崎
-
貴家 恒男
日本原子力研究所高崎研究所
-
工藤 久明
日本原子力研究所高崎研究所
-
大藪 又茂
(株)島津製作所 秦野工場 第二分析事業部技術部
-
貴家 恒男
原研 高崎研
-
大薮 又茂
(株)島津製作所
-
瀬口 忠男
日本原子力研究所 高崎研究所
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