トンネルギャップイメージング法による分子吸着及び非吸着黒鉛表面のトンネル障壁高さの比較
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概要
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原子分解能を有する走査トンネル顕微鏡(STM)の装置を用いて, 局所的なトンネル電流(I)の探針-試料間距離(s)依存性(I-s特性)を測定するトンネルギャップイメージング法により, 黒鉛表面及び液晶分子を吸着させた黒鉛表面を解析した. 両者とも探針-試料間距離が小さい領域では類似の依存性を示し, トンネル障壁高さは数百meVであった. しかし, 探針-試料間距離が大きい領域では, 液晶分子を吸着させた黒鉛で分子吸着に起因する特殊なトンネル電流が流れることが分かった. この領域では見掛けのトンネル障壁高さが著しく減少し数meVであった. 又, 凹凸像とトンネル障壁高さの関係も黒鉛表面の場合とは逆の相関があることが分かった.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1998-06-05
著者
-
合志 陽一
東大工
-
合志 陽一
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
蛭川 秀一
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
宮村 一夫
東京大学大学院工学系研究科応用化学専攻
-
合志 陽一
東京大学大学院工学系研究科
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