スピンバルブライクトンネル接合における下地電極層の磁気抵抗への影響

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概要

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• The relation between the under-electrode layers of spin-valve-like tunneling junctions and the tunneling magnetoresistive effect was investigated. Al, Cu, and Pt, which all have low resistivity, were selected for the electrode layer. The roughness of the oxidized Al surface with an Al electrode layder of more than 10nm thickness increased drastically. In all junctions with Al layers thicker than 30nm, the tunneling magnetoresistive effect was not observed. On the other hand, junctions with a Cu electrode exhibited an MR ratio of over 10%, ever for Cu thickness of up to 80 nm. The MR ratio decreased with increasing roughness of the oxidized Al surface, irrespective of the electrode materials.

• 社団法人日本磁気学会の論文
• 1999-04-15

著者

• 池田 義

  ソニー(株)仙台テクノロジーセンター

• 菅原 淳一

  ソニー(株)

• 池田 義人

  ソニー(株)

• 熊谷 静似

  ソニー(株)

• 宮崎 照宣

  東北大学工学研究科,応用物理学専攻

• 中塩 栄治

  ソニー(株)

• 本多 順一

  ソニー(株)

• 本多 順一

  ソニー(株)仙台テクノロジーセンター

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