微細NiFe/Al_2O_3/Co接合素子の磁気トンネリング効果 (<特集>多層膜・人工格子・グラニューラー)
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概要
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The spin-tunneling magnetoresistive effect was investigated for NiFe/Al_2O_3/Co junctions with small junction areas down to 3 × 3 μm^2, fabrichted by photolithography. About 75% of the junctions prepared exhibited the spin-tunneling magnetoresistive effect, with a maximum value of around 2% at room temperature. Negative interlayer exchange-coupling (J<0) was found in these junctions. The strength of the coupling tended to increase with decreasing junction area.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 1997-04-15
著者
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