Co_xFe_<1-x>/Al-oxide/Co_xFe_<1-x>接合の磁気抵抗効果
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概要
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The relationship between Co_xFe_<1-x>(X=100, 90, 75, 60, 50) and the tunneling magnetoresistive effect was investigated. Co_xFe_<1-x>, which have high saturated magnetization, were selected as the ferromagnetic materials. The fabrication process was successful in a TMR junction with large MR ratio. The maximum MR ratio for Co_<75>Fe_<25> junctions yielded 40. 7%. The MR ratios for Co_<75>Fe_<25> junctions were almost constant as a function of the junction area, which meant an MR ratio over 40% didn't contain a geometrically enhanced MR effect. V_h' defined as the point where the TMR decreased to half its lmV bias value, lay between 360 and 455 mV. The bias dependence of TMR was related to barrier height in all Co_xFe_<1-x> junctions. As barrier height increased, weaker bias dependence was obtained.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2000-04-15
著者
-
菅原 淳一
ソニー(株)
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熊谷 静似
ソニー(株)
-
中塩 栄治
ソニー(株)
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尾上 精二
ソニー(株)コンピュータペリフェラル&コンポーネントカンパニー 磁気デバイス部門
-
尾上 精二
ソニー株式会社 コアテクノロジー&コンポーネントカンパニーストレージ&デバイスカンパニーレーザー&マグネティックデバイス事業部
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