F-0532 Siウェーファーへの微細押込過程のFEM解析(J17-4 マイクロトライボロジー&プロセッシング(4))(J17 マイクロトライボロジー&プロセッシング)
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概要
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This paper aims to simulate defect generation in a machining process of a sillicon wafer. This simulation is based on the meso-plasticity FEM system, where the crystalline plasticity theory is introduced. A new deferct generation mechanism that takes into account effects of dislocation pile up was proposed, and a criterion based on the defect mechanism was also introduce into the FEM simulation. An indentation and retraction process on a sillicon wafer was calculated. Results showed that defect density improves more in a retraction process than indentation process.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2001-08-22
著者
-
吉野 雅彦
東京工業大学理工学研究科
-
白樫 高洋
東京電機大学
-
白樫 高洋
東京電機大
-
吉野 雅彦
東京工業大学院
-
吉野 雅彦
東京工業大学 機械制御システム専攻
-
Chandrasekaran Naga
OSU
-
Komanduri Ranga
OSU
-
吉野 雅彦
東京工業大学
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