2614 電子描画用レジスト膜のナノインデンテーション
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概要
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The characteristics of resists used for fine pattern writing by electron beam lithography systems hold the key to much finer pattern writing for the semi conductor technology improvement. In this report nano indentation characteristics of PMMA resist materials were examined from the pre-braking temperature and time points of view. Although differences in nano indentation hardness were not observed above 2μN was applied, differences were observed when the load of 1μN or less was applied. Furthermore, the nano indentation hardness increased when longer pre-baking time is applied at the pre-baking temperature of 200℃.
- 2003-08-05
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