715 分子動力学法による単結晶シリコンの圧子押込みによる転位の射出と内部構造の変化
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概要
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Indentation problem of single crystalline silicon is analyzed using the molecular dynamics simulation. Critical shear stress of dislocation emission is estimated by both the average pressure due to indent load and atomic-level stress distribution. After a complete loading hysterisis, the dislocation loop annihilates into the amorphous phase and the pile-up of the surface due to the global elastic recovery is observed, which is in qualitative agreement with the SIM observation.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
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