413 Tersoffポテンシャル,TB法,第一原理計算によるシリコンき裂先端場の解析(GS-1 分子動力学法)
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概要
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Crack-tip field of silicon is analyzed using the molecular dynamics simulation with the empirical Tersoff potential and Tight-binding (TB) method with environment-dependent TB potential. As a result of using the Tersoff potential, the crack-tip tends to round due to its cut-off function. TB calculations show that the anisotropic bond breaking process at the crack-tip is obtained, which is in good agreement with the ab-initio results. It is found that the surface reconstruction on the crack wake plays an important role on this anisotropy.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2001-03-16
著者
-
渋谷 陽二
阪大院
-
釘宮 哲也
東芝
-
釘宮 哲也
阪大院
-
Gumbsch Peter
Max-Planck-Institut fur Metallforschung
-
Gumbsch P
Max‐planck‐inst. Metallforsch. Stuttgart Deu
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