712 O(N)TB+Tersoff 連結分子動力学法によるシリコンのモード I き裂先端場の解析
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概要
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In order to solve the brittle fracture problem as exactly as possible, the electronic charge distribution should be considered in the highly strained field like the crack tip. We have proposed the concurrent atomistic modeling for the crack problem, which is coupled with the linearly scaled tight-binding (O(N)TB) method and the empirical Tersoff potential. In this paper, it is applied to the crack propagation of silicon to understand an effect of the boundary condition of the atomic model to the local atomistic behavior in the crack tip field.
- 社団法人日本機械学会の論文
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