周期定常動作時のGaAs MESFETの電気特性への熱移動の影響
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概要
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Two dimensional numerical calculation of heat generation and transport in GaAs MESFETs with high frequency gate bias has been performed. In order to study the conjugate nature of electronic and thermal phenomena in the semiconductor devices, electron particles, momentum and energy equations, and the energy equations of optical and acoustic phonons as well as Poisson equation are solved simultaneously. Calculated results exhibited the effect of temperature distributions to the current charactreistics as high frequency gate voltage variation.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 1999-02-25
著者
-
伏信 一慶
東京工業大学大学院理工学研究科
-
伏信 一慶
東京工大
-
伏信 一慶
東京工業大学
-
舘上 敦
東京工業大学大学院
-
星野 敬雄
東京工業大学大学院
-
佐藤 動
東京工業大学工学部
-
黒崎 晏天
電気通信大学電気通信学部
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