多接合層を有する半導体チップ接合構造のひずみ支配パラメータ
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概要
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A new parameter, C_<ij>, is proposed for taking into account the effects of the interaction of multi-bonding layers on the strains of bonding layers with nonelastic behavior in semiconductor chip bonding structures under temperature changes. The previously proposed strain solution of a single bonding layer is extended to the solution of multi-bonding layers through use of this new parameter. This solution shows good agreement with FEM results. It is found from the consideration of sample structures that C_<ij> is a useful parameter for optimizing multi-bonding layer structures.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 1993-10-25
著者
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