アセチルアセトンによるZn0膜のエッチング
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概要
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A new etching method using organic solvents instead of acids was developed for ZnO films as well as MgO films. ZnO films prepared by normal pressure chemical vapor deposition (NP CVD) and R. F. magnetron sputtering were etched at 30-60℃ in a methanol solution of acetylacetone (2,4 pentandione). The etching rate of the film prepared by R.F. magnetron sputtering was smaller than that prepared by NP CVD. The activation energy of etching for the finn prepared by R.F. magnetron sputtering was 59 kJ . mol^<-1>.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1995-01-01
著者
-
田中 修
甲南大 理工
-
田中 修
甲南大・理工・生物
-
鎌田 喜一郎
長岡技術科学大学工学部
-
大塩 茂夫
長岡技術科学大学化学系
-
西野 純一
長岡技術科学大学化学系
-
大塩 茂夫
長岡技科大
-
西野 純一
Nagaoka University Of Technology
-
古瀬 彰一
長岡技術科学大学化学系
-
佐藤 亜希子
長岡技術科学大学化学系
-
西野 純一
長岡技科大
-
Tanaka O
Institute Of Pharmaceutical Sciences Faculty Of Medicine Hiroshima University
-
鎌田 喜一郎
長岡技術科学大学化学系
-
Tanaka O
Department Of Biology Faculty Of Science And Engineering Konan University
-
NISHINO Junichi
Department of Chemistry, Nagaoka University of Technology
-
Nishino J
Department Of Chemistry Nagaoka University Of Technology
-
Tanaka O
Institute Of Pharmaceutical Sciences Hiroshima University School Of Medicine
-
大塩 茂夫
長岡技術科学大学
-
鎌田 喜一郎
長岡技術科大学工学部
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