酸化スズ薄膜ガスセンサーにおけるIV族元素酸化物の添加効果

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概要

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• The effects of IV group element (Zr, Ti, Ge, Si) oxides addition on the grain growth of Sn0_2 thin films at elevated temperature (600 1000℃ were investigated. It was found that addition of 10 mol% Ge0_2 controlled the grain growth of Sn0_2 effectively without changing the resistivity. Addition of Ge0_2 decreased the response time for 2 methyl 2 butene by the formation of Sn0_2 thin films with uniform crystallite size.

• 社団法人日本セラミックス協会の論文
• 1995-01-01

著者

• 高橋 康隆

  岐阜大学工学部

• 大竹 秀樹

  岐阜大学工学部応用化学科

• 大夫 豊

  岐阜大学工学部応用化学科

• 金森 正晃

  NOK(株)研究開発本部研究一部

• 高橋 康隆

  岐阜大学工学部機能材料工学科:(現)大研化学(株)

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