2p-PSA-24 Si, Ge(100)表面の構造相転移(2×1)↔c(4×2)のLEED観察

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1994-08-16

著者

• 小森 文夫

  東大物性研

• 服部 賢

  東大物性研

• 高橋 義広

  東大・物性研

• 高橋 義広

  東大物性研

関連論文

• 21pPSA-1 Co/N/Cu(001)微傾斜面からの非線形光の観測(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pGP-4 SiC微斜面上エピタキシャル数層グラフェンの電子状態(21pGP グラフェン(成長と評価),領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pGQ-1 Au/Ge(001)表面に形成される一次元構造のSTM観察II(22pGQ 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYG-9 トポロジー絶縁体Bi_Sb_x合金(x=0.04,0.13)電子状態のSbドープ量依存に対する研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27a-ZB-3 アルミニウム微粒子膜と臨界面抵抗II
• 31p-Y-4 アルミニウム微粒子膜とh/4e^2
• 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 角度分解光電子分光によるFeSi (001) およびCoSi (001) の価電子帯構造の研究
• 26aXA-10 角度分解光電子分光によるFeSiの価電子帯構造(光電子分光(超伝導・強相関・磁性),領域5,光物性)
• 29pPSB-54 光電子分光による微斜面SiC上の数層grapheneの電子状態測定(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28aYH-8 数層グラフェン電子状態のSTMによる研究(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 28aYH-2 傾斜SiC表面上のグラフェン形成機構(28aYH 領域7,領域9合同 グラフェン構造・表面物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 22pPSA-19 SiC(0001)上にエピタキシャル成長したSiON超薄膜の電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTG-9 窒素吸着銅(001)表面上のスズの表面構造と電子状態の研究(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXB-8 窒素吸着銅(001)表面上のC_吸着構造 II(表面界面構造,22aXB 微粒子・クラスタ,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22pPSA-102 In/Si(111)-(4×1)表面上に形成したC_超薄膜の構造と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 20pZA-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光II(光電子分光・逆光電子分光・軟X線発光・理論,領域5,光物性)
• 26aYH-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 26aYH-10 Co/N/Cu(001)表面の軟X線発光分光(26aYH 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXB-6 Ni 表面における再放出陽電子への吸着水素の効果
• 29pXJ-14 陽電子誘起イオン脱離測定装置の評価
• 18aTH-2 陽電子誘起脱離イオン測定装置の開発
• 27pXC-10 陽電子を用いたNi表面からのイオン脱離
• 25aYK-3 陽電子誘起イオン脱離検出器の開発
• 22pZL-7 陽電子誘起イオン脱離を用いたNi表面の研究
• 24aYA-5 陽電子誘起イオン脱離によるNi表面の評価
• 28a-XJ-9 低速陽電子によるNi表面からの陽電子誘起イオン脱離
• 29a-A-5 陽電子消滅誘起イオン脱離装置開発の現状
• 27pYG-4 銅(001)基板上のc(2x2)-窒化ニッケル単原子層の構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 27pTX-12 高分解能スピン分解光電子分光によるBi_Sb_x量子スピンホール相の研究(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23aXB-11 低速陽電子を用いた水素吸着Ni(111)表面の水素吸着量の違いによる比較(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-4 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出特性(領域10,領域9合同格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20pTG-1 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出陽電子(水素ダイナミクス,微粒子・クラスタ,表面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 18aTH-3 水素雰囲気下において作成した金属薄膜の低速陽電子ビームによる測定と評価
• 25pY-11 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の空孔型欠陥の評価
• 25aYL-4 金属薄膜の低速陽電子ビームを用いた欠陥評価
• 28a-XJ-10 低速陽電子ビーム法による金属薄膜の欠陥評価
• 29a-ZA-8 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜の欠陥評価
• 26a-K-7 低速陽電子ビームを用いたイメージングプレートによる陽電子の検出とその特性
• 25a-K-9 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜非晶質化の研究
• 30a-YC-8 低速陽電子寿命法による金属薄膜Fe,Hfの研究
• 21pPSA-14 Rh/N/Cu(001)面の構造(21pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 31a-YK-10 低速陽電子ビーム法による金属多層膜Fe/Hf
• 6a-X-5 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜(Fe/Hf)の研究
• 5p-S-9 低速陽電子ビームを用いたFe金属薄膜の研究
• 29a-A-6 低速陽電子ビームによる磁性人工格子の研究と再放出偏極陽電子
• 28a-E-6 低速陽電子ビームによる金属多層膜Fe/Hfの固相反応の研究
• 低速陽電子ビームを用いた金属薄膜(Fe, Hf)及び金属多層膜(Fe/Hf)の研究
• 陽電子消滅誘起イオン脱離装置の開発II
• 金属多層膜Fe/Hfの作製と低速陽電子ビームによる評価
• 31p-M-13 低速陽電子ビームを用いた金属多層膜Hf/Feの研究
• 18aTB-1 Si(111)1×1,2×2-Feの界面強磁性(領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 5p-PS-48 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC II
• 31p-PS-37 酸化物超伝導体のIn-Beam PAC
• 30p-YT-4 陽電子消滅寿命測定法及び低速陽電子ビームによる準結晶AIPdReの研究
• 24aTK-5 N/Cu(001)表面上のCoナノドットの電子状態(光電子分光・MCD,領域5,光物性)
• 28aYB-5 Co/N/Cu(001)表面の電子状態(28aYB 表面界面電子物性,表面局所光学現象,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aGQ-5 Ge(111)√×√-Au表面の電子状態(20aGQ 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 窒素吸着Cu(001)表面に形成されたナノサイズCo島の電子状態
• 27aYG-1 Au/Ge(001)及び(111)表面の電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYH-5 Ge(001)表面における局所ホール注入によるGeダイマーの振動励起(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 30pRD-5 Au/Ge(001)表面の電子状態II(30pRD 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-51 Au/Ge(001)表面に形成される1次元構造のSTM観察(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-44 Ge(001)表面擬1次元系に埋め込まれた不純物IV族元素の散乱ポテンシャル(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-43 Cu(001)面上の窒素吸着ドメイン間に形成されるCu細線の構造モデル(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-42 強磁性金属を混入したMnN/Cu(001)超構造の構造変化(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 29pPSB-39 表面歪みにより誘起される局所仕事関数の変化(29pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 28a-Q-1 NbSe2表面微小不純物相近傍の超伝導近接効果
• 東大物性研における静電型低速陽電子ビームの開発
• 5a-B1-8 スズのジョセフソンネットワークにおける臨界面抵抗
• 19pPSB-13 Ge(001)面上の銀薄膜の成長 : 価電子帯光電子分光
• 12p-DF-2 銅微粒子膜における電荷KT転移
• 26p-P-10 微粒子膜とクーロン閉塞
• 29pYC-5 水素雰囲気中において作成したFe単層膜の低速陽電子ビームによる評価
• 23pYH-11 水素雰囲気下におけるFe単層膜の作成と低速陽電子ビームによる測定
• 5a-B1-9 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性
• 22aXA-2 Au/Ge(001)表面の電子状態(22aXA 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26p-ZB-13 Al微小トンネル接合の帯電効果
• Al微小トンネル接合のI-V特性
• 6a-ZE-10 スズ微小ジョセフソン接合のI-V特性III
• 18aTB-1 Si(111) 1×1, 2×2-Feの界面強磁性(18aTB 領域3,領域9合同 2.表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 25aWX-7 Bi_Sb_xにおけるバンドのSbドープ量依存性(25aWX 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 25pWS-2 傾斜SiC上グラフェンの角度分解光電子分光(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pPSA-7 STM探針からのキャリア注入によるSi吸着Ge(001)表面の構造遷移II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-21 In蒸着Ge(001)表面のSTM・RHEED観察(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 14aXG-6 Ag/Ge(001) 表面における表面合金形成過程 II(表面界面電子物性, 領域 9)
• 30aWR-6 窒素飽和吸着銅(001)表面上のコバルトドットの界面電子状態(領域9,領域3合同 : 表面磁性)(領域9)
• 28pWP-9 Ge(001)清浄面のバイアス電圧パルスによる局所的構造変化(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 27aWP-2 Ag/Ge(001)表面における表面合金形成過程(表面界面電子物性(半導体・無機))(領域9)
• 30aWR-6 窒素飽和吸着銅(001)表面上のコバルトドットの界面電子状態(領域9,領域3合同 表面磁性)(領域3)
• 20aPS-63 窒素飽和吸着銅 (001) 表面上におけるコバルトドットの XAS と MCD
• 25pWS-1 傾斜Sic上埋め込まれたグラフェンナノリボンの構造とラマン分光特性(25pWS 領域9,領域7合同 グラフェン,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 5p-B2-7 銅微粒子中における核スピン緩和の異常
• 28a-R-1 アルミニウム微粒子の超伝導と久保効果
• 22pPSB-10 スズ吸着銅(001)表面のSTM観測II(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20pXB-2 STMによるGe(001)ダイマー表面におけるフリップフロップ運動の実時間測定(20pXB 表面界面ダイナミクス,領域9,領域4合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aTD-10 Cu(001)表面上のMnN超構造の成長過程(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 24pPSA-5 スズ吸着銅(001)表面の構造と電子状態(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 26pTD-1 3/8原子層スズ吸着した銅(001)表面の構造と電子状態(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 21pXL-1 STM探針からのキャリア注入によるSi吸着Ge(001)表面の構造遷移(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク