遷移金属酸化物を用いたトンネル磁気抵抗素子の作製と特性評価
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概要
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A novel ferromagnetic tunnel junction with transition metal oxides has been fabricated with photo-lithographic technique. Well defined tunneling properties were observed in a novel barrier material of TiO_x with the thickness down to 2 nm. Spin dependent transport properties have been confirmed for Fe_3O_4/TiO_x/M (M=Co, Co/NiFe, NiFe) tunnel junctions, where highest magneto-resistence (MR) change of 7% was observed for Co. Drastic improvement of field sensitivity was attained with the exchange coupled Co/NiFe bi-layer.
- 九州大学の論文
著者
-
松山 公秀
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
能崎 幸雄
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
秦 飛
九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻
-
NANJO Yuki
Hoechst Research and Technology Japan Ltd.
-
能崎 幸雄
慶応義塾大学 理工学部
-
松山 公秀
九州大学大学院 システム情報科学研究院
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