スパッタ Fe_3O_4薄膜における電圧誘起スイッチング
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概要
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Electric transport properties have been studied for Fe_3O_4 thin films with current perpendicular to plane geometry, aiming at development of oxide spintronics devices. Excellent conductivity comparable to a bulk single crystal was attained by optimizing an under layer material and film deposition condition. A novel conductivity switching, up to three orders of magnitude, was observed. The threshold value of electric field for switching and its temperature dependence were investigated.
- 九州大学の論文
著者
-
松山 公秀
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
能崎 幸雄
九州大学大学院システム情報科学研究院
-
秦 飛
九州大学大学院システム情報科学府電子デバイス工学専攻
-
NANJO Yuki
Hoechst Research and Technology Japan Ltd.
-
松山 公秀
九州大学大学院 システム情報科学研究院
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