第 3 章化学スパッタリング
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概要
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スパッタリングによる不純物のZ番号を低く抑えるために容器壁にSicコーティングをしたり,リミターにカーボンカーテンを利用する試みが提案されている。C, Sicのスパッタ率は,He, Neによる物理的なスパッタリングの場合は,低スパッタリングの物質であるMoと比べても, それ程大きくない。しかし水素イオン衝撃した場合は, 逆に大きくなる。これは,表面から脱離し易い炭火水素系の化合物ができるためとBehrish等は述べ, ケミカルスパッタリングと呼んでいる。これらについては,化合物ができ易くなる温度や水素圧力などが重要なパラメーターになると考えられる。Busharov等は気相中のCH_4の分圧を測定, 検討しているが,まだ十分定量的な結果を得ていない。
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