CS_2雰囲気下におけるTiS_2ターゲットからの硫化チタン薄膜のパルスレーザ蒸着とその熱電特性
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概要
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The pulsed laser deposition of titanium sulfide films was investigated in order to develop new thermoelectric materials. The rutile-type TiO2 powder was first sulfurized with carbon disulfide (CS2) gas. After the sulfurization at 1023 K for 14 h, the resultant powder consisted entirely of the CdI2-type TiS2 phase. The TiS2 target was fabricated by pressing the TiS2 powder under a uniaxial pressure of 20 MPa. The films were prepared on fused quartz substrates by the pulsed laser deposition from the TiS2 target under CS2 pressure. The effects of the CS2 pressure and substrate temperature on the microstructure and composition were investigated. When the film was prepared at room temperature under CS2 pressure of 1.33 Pa, the composition of the film was found to be close to the target composition. The room-temperature electrical resistivity and Seebeck coefficient of this film are 63 μΩ•m and -42 μV/K, respectively.
- 社団法人 資源・素材学会の論文
- 2008-11-25
著者
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太田 道広
産総研エネルギー技術
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吉永 勝己
東北大学多元物質科学研究所
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佐藤 修彰
東北大学多元物質科学研究所
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吉永 勝己
東北大学大学院工学研究科 応用化学専攻
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佐藤 修彰
東北大学 多元物質科学研究所
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佐藤 修彰
東北大多元研
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太田 道広
(独)産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門
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太田 道広
産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門 熱電変換グループ
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佐藤 修彰
Institute Of Multidisciplinary Research For Advanced Materials Tohoku University
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太田 道広
九工大学情報工
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太田 道広
産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
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