有機TFTの高性能化と応用展開
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概要
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The interfaces, organic semiconductor/gate insulator and organic semiconductor/ source-drain (S-D) electrodes, in organic thin-film transistors (TFTs) are crucial for the improvement of transistor characteristics. We describe (1) the improvement of mobility and lowering driving voltage by treating the gate-insulator surface with self-assembled monolayers, and (2) the reduction of contact resistance by employing a carrier injection layer for the S-D electrodes in bottom-contact organic TFT.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2008-07-01
著者
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時任 静士
NHK技研
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熊木 大介
東京工業大学 物質電子科学専攻
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時任 静士
東京工業大学 物質電子科学専攻
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熊木 大介
山形大・理工学研究科
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熊木 大介
山形大学大学院:山形大学有機エレクトロニクス研究センター
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