熱硬化型フッ素系高分子ゲート絶縁膜を用いた高分子TFTの高性能化(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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有機半導体薄膜の結晶性や配向性は基板の表面エネルギーに強く依存し,基板に疎水化処理を施すことで移動度が大きく増加することが知られている.しかしこれらの知見は,SiO_2などの無機絶縁材料と自己組織化単分子膜(SAM)を組み合わせた系における限定的なものであった.本研究では,高透明性,低温硬化性を有し,表面エネルギーの制御が可能である新規な熱硬化型フッ素系高分子絶縁膜材料を用いて,高分子TFTを作製し,高分子絶縁材料におけるトランジスタ特性の表面エネルギー依存性について詳細に調べた.その結果,表面エネルギーの低い高分子絶縁材料をゲート絶縁膜に用いることで,移動度が0.10cm^2/Vs,オンオフ比は10^6が得られ,また移動度と表面エネルギーとの相関が得られた.
- 2012-04-11
著者
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熊木 大介
山形大・理工学研究科
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奥 慎也
山形大学大学院理工学研究科
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南木 創
山形大学大学院理工学研究科
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伊藤 昌弘
旭硝子中央研究所
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福田 憲二郎
山形大学大学院理工学研究科
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熊木 大介
山形大学大学院理工学研究科
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水上 誠
山形大学大学院理工学研究科
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時任 静士
山形大学大学院理工学研究科
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時任 静士
山形大学大学院:山形大学有機エレクトロニクス研究センター
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福田 憲二郎
山形大学大学院:山形大学有機エレクトロニクス研究センター
-
熊木 大介
山形大学大学院:山形大学有機エレクトロニクス研究センター
-
福田 憲二郎
山形大学大学院理工学研究科:山形大学有機エレクトロニクス研究センター
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