銅電極を用いたボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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有機薄膜トランジスタ(OTFT)のソース・ドレイン電極には、一般的に安定で取り扱いやすいAu電極が使用されている。そのため、フレキシブルディスプレイをはじめとした応用デバイスへの実用化を考える場合、コストが課題となる。そこで、安価で汎用的なCu電極を用いて高性能なOTFTを実現する必要がある。しかし、Cu電極を用いた微細チャネルを有するボトムコンタクト型OTFTの報告例はない。本研究では、Cu電極を用いて実用的な構造であるボトムコンタクト型OTFTを作製した。フォトリングラフィプロセスを用いたチャネル長10μmでのトランジスタ特性は、飽和領域における移動度が0.16 cm^2/Vsであった。さらにHMDS(ヘキサメチルジシラザン)処理を行うことで移動度0.28 cm^2/Vsを達成した。
- 2012-04-11
著者
-
熊木 大介
山形大・理工学研究科
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時任 静士
山形大学有機エレクトロニクス研究センター
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奥 慎也
山形大学有機エレクトロニクス研究センター
-
宇津野 裕弥
山形大学工学部
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水上 誠
山形大学有機エレクトロニクス研究センター
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熊木 大介
山形大学有機エレクトロニクス研究センター
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水上 誠
山形大学大学院理工学研究科
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時任 静士
山形大学大学院:山形大学有機エレクトロニクス研究センター
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熊木 大介
山形大学大学院:山形大学有機エレクトロニクス研究センター
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