Evaluation of Hot-Hole Induced Interface Traps at the Tunneling SiO_2(3.5nm)-Si Interface by the Conductance Technique
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概要
- 論文の詳細を見る
- 1996-08-26
著者
-
小林 孝嘉
東京大学理学系研究科
-
Ogawa Shinji
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Information Engineering Nagoya University
-
Ohsaki Shintaro
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Information Engineering Nagoya University
-
Nakayama Satoshi
NTT LSI Laboratories
-
Kobayashi Toshio
NTT LSI Laboratories
-
Sakakibara Y
National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
-
Nakayama S
Sii Nano Technology Inc.
-
OGAWA Shigeo
NTT LSI Laboratories
-
SAKAKIBARA Yutaka
NTT LSI Laboratories
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