低速育成シリコン結晶の成長時導入欠陥の形成機構
スポンサーリンク
概要
著者
-
小野 敏昭
住友金属工業(株)シチックス事業本部研究開発センター
-
奥井 正彦
住友金属工業
-
田中 忠美
住友シチックス(株)シリコン研究開発センター
-
神田 忠
住友シチックス(株)シリコン技術管理センター
-
小野 敏昭
住友シチックス(株)シリコン研究開発センター
-
小野 敏昭
住友金属工業(株)シチックス事業本部 シリコン製造所研究開発センター
-
奥井 正彦
住友金属工業(株)未来技術研究所
関連論文
- 27aA2 DLCZ法によるシリコンの結晶成長(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- ボロンハイドープ結晶における点欠陥の挙動(シリコン結晶成長における酸素輸送と欠陥制御)
- CZシリコン結晶中のGrown-in欠陥の電子顕微鏡法による解析
- 低速育成シリコン結晶の成長時導入欠陥の形成機構
- シリコン結晶中の成長時導入欠陥の実態と生成挙動
- 高精度な炉内熱解析技術に基づくシリコン単結晶の点欠陥物性値