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Shizuoka Univ. Hamamatsu Jpn | 論文
- In-situ observations of dissolution process of GaSb into InSb melt by X-ray penetration method
- A New Method for Accurately Measuring Temperature Dependence of Refractive Index
- Observation of discrete dopant potential and its application to Si single-electron devices
- Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (電子デバイス)
- Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (シリコン材料・デバイス)
- Growth of homogeneous InGaSb ternary bulk crystal and the observation of composition profile in the solution by X-ray penetration method (電子部品・材料)
- GaSb/InSb/GaSbサンドウィッチ構造における溶解過程に及ぼす重力対流の役割
- ニホンカモシカにおける卵胞閉鎖過程,特に胞状卵胞の閉鎖の終末像について
- 腹圧測定による呼吸同期陽子線照射の照準精度
- 陽子線治療における利用線錐以外の線量当量評価
- 岐阜県下の野生タヌキにおける疥癬症の蔓延について
- PTCOG 27 陽子線 ・ 重粒子線線量国際相互比較
- 肝細胞癌に対する陽子線治療の肝機能への影響と照射線量・容積に関する検討
- 宇宙ステーシヨン内における混晶半導体バルク結晶成長の予備実験
- InGaSb混晶半導体バルク結晶成長に対する結晶面方位効果の予備計測実験
- InGaSb結晶成長における重力効果と組成的過冷却の数値解析
- InGaSb結晶成長における重力効果の数値解析(半導体結晶成長II)
- InGaSb結晶成長における溶液相形成過程の数値解析(半導体結晶成長I)
- InGaSb半導体育成における重力の影響に関する数値解析
- 落下塔利用の微小重力環境下におけるInGaSb突起物形成過程のその場観察