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Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido | 論文
- Hydrogen sensing characteristics and mechanism of Pd/AlGaN/GaN Schottky diodes subjected to oxygen gettering
- 酸素プラズマ雰囲気中PLD法により堆積された炭素薄膜の評価
- C_7F_を用いたC:F膜の堆積とその評価 : ガス圧依存性および気体混合による効果
- Effects of Oxygen and Substrate Temperature on Properties of Amorphous Carbon Films Fabricated by Plasma-Assisted Pulsed Laser Deposition Method
- 金属薄膜による表面周期構造を利用したTHz波フィルタ(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- テラヘルツ領域用低損失コプレーナ導波路とそのEBGフィルタへの応用(学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
- GaAs(111)B基板上に形成されたAlGaAs/GaAs量子構造のSi界面制御層による表面不活性化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- Precisely Controlled Anodic Etching for Processing of GaAs based Quantum Nanostructures and Devices
- X-ray Photoelectron Spectroscopy Study of Silicon Interlayer Based Surface Passivation for AlGaAs/GaAs Quantum Structures on (111) B Surfaces
- コプレーナ伝送線路を用いたサブテラヘルツ1次元周期構造の評価(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- Electronic Interface Properties of Low Temperature Ultrathin Oxides on Si(111) Surfaces Studied by Contactless Capacitance-Voltage and Photoluminescence Methods
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- 単電子デバイスの準静的動作による断熱的スイッチング(半導体材料・デバイス)
- C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用
- QMESFETの提案と試作
- QMESFETの提案と試作
- Successful Passivation of Air-Exposed AlGaAs Surfaces by a Silicon Interface Control Layer-Based Technique
- Photoluminescence and X-Ray Photoelectron Study of AlGaAs/GaAs Near-Surface Quantum Wells Passivated by a Novel Interface Control Technique
- More than 10^3 Times Photoluminescence Intensity Recovery by Silicon Interface-Control-Layer-Based Surface Passivation of Near-Surface Quantum Wells