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Ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- EMD2000-45 / CPM2000-60 / OPE2000-57 / LQE2000-51 Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- EMD2000-44 / CPM2000-59 / OPE2000-56 / LQE2000-50 格子変調型フォトニック結晶導波路の解析と作製
- EMD2000-45 / CPM2000-60 / OPE2000-57 / LQE2000-51 Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- EMD2000-44 / CPM2000-59 / OPE2000-56 / LQE2000-50 格子変調型フォトニック結晶導波路の解析と作製
- EMD2000-45 / CPM2000-60 / OPE2000-57 / LQE2000-51 Ta_2O_5/SiO_2系フォトニック結晶からなる青紫色波長用複屈折素子の作製とその特性
- EMD2000-44 / CPM2000-59 / OPE2000-56 / LQE2000-50 格子変調型フォトニック結晶導波路の解析と作製
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- EMD2000-44 / CPM2000-59 / OPE2000-56 / LQE2000-50 格子変調型フォトニック結晶導波路の解析と作製
- 28a-ZE-6 フォトニック結晶中の異常光伝播 : セルフコリメーション
- C-3-113 フォトニック結晶のPLC応用へ向けて-μLC
- フォトニック結晶のPLC応用に向けて : スーパープリズム現象
- 28a-YE-1 3次元フォトニック結晶における異常屈折現象
- 25aWR-12 シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- MOSFETを利用した室温での単一電子転送・検出とその応用 : SOIを用いた素子作製と特性評価(単電子/単光子検出とマニピュレーション)
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- ダブルゲートMOSFETにおける谷と空間的サブバンドの制御 : シリコン量子井戸の電子状態(Functional Devices and Circuits, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- シリコン・ナノデバイスを用いた室温での単一電子転送と検出 : SOIを使った素子作製とその特性評価(量子効果デバイス及び関連技術)