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Ntt物性科学基礎研究所 | 論文
- 12pRD-7 無限層 Sr_La_xCuO_2 薄膜の遠赤外エリプソメトリ測定(高温超伝導 : 擬ギャップ・超伝導応答, 領域 8)
- 深さ分解能関数を用いたSIMS深さ方向分布の評価
- Si(111)表面の分光電子観察
- 2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察
- 26a-Y-1 Si(100)2×1表面における二次電子放出強度のダイマー方向依存性
- 29p-BPS-38 高温STMによるSi(111)傾斜表面上の再配列構造の観察
- 27p-E-5 STMによるSi(111)傾斜表面上での相転移観察
- GaAs表面構造の安定性に対する量子論的アプローチ
- GaAsエピタキシャル成長における吸着-脱離現象への理論的アプローチ(結晶成長理論の最近の動向)
- Ge/Siセグリゲーションの中速イオン散乱による観察
- GaAs(111)A面上のエピタキシャル成長過程の理論的検討 : 成長界面III
- 22aC7 GaAs表面上吸着過程に関する量子論的シミュレーション(成長界面II)
- 27p-YL-6 第一原理吸着計算に基づいたモンテカルロ法とそのGaAs薄膜成長への応用
- 26p-P-2 GaAs薄膜成長初期過程の量子論的シミュレーション
- 24aRP-4 3次元光格子中のフェルミ原子気体のブロッホ振動(24aRP 量子エレクトロニクス(フェルミオン),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 24aRP-2 一次元光格子中のヘテロ接合界面における冷却フェルミ原子のダイナミクス(24aRP 量子エレクトロニクス(フェルミオン),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 電子線露光技術を用いた電子波干渉トランジスタの作製とその評価
- SOI基板を用いた酸化物クラッド2次元フォトニック結晶
- SC-4-14 格子変調型フォトニック結晶の作製と波長選択フィルタへの応周
- SC-4-2 SiフォトニクスにむけたSi系フォトニック結晶