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Nec Corp. Ibaraki Jpn | 論文
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
- Room-Temperature Electroluminescence from Single-Period (CdF2/CaF2) Inter-Subband Quantum Cascade Structure on Si substrate (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
- Room Temperature Electroluminescence of CdF_2/CaF_2 Inter-subband Transition Laser Structures grown on Si Substrate
- ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
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- Si(100)基板上に形成されたCdF_2/CaF_2超ヘテロ構造による共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)
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- ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性
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- Epitaxial Growth of BeZnSe on CaF_2/Si(111) Substrate : Semiconductors
- ナノ領域成長によるSi(111)及びSi(100)基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード
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- Theoretical Analysis of The threshold Current Density in BeMgZnSe Quantum-Well UltraViolet Lasers : Optics and Quantum Electronics
- Epitaxial Growth and Electrical Characteristics of CaF_2/Si/CaF_2 Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si(111)1°-off Substrate
- Evidence for Ballistic Thermal Conduction in the One-Dimensional S=1/2 Heisenberg Antiferromagnetic Spin System Sr_2CuO_3(Condensed matter: structure and mechanical and thermal properties)
- Control of the Electrical Properties of AlN/thin-a-Si/GaAs MIS Diodes by GaAs Surface Pretreatments
- Effects of InP Surface Treatment on the Electrical Properties and Structures of AlN/n-InP Interface
- Interfacial Superstructure of AIN/n-GaAs(001) System Fabricated by Metalorganic Chemical Vapor Deposition : Surfaces, Interfaces and Films