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Nec 光・超高周波デバイス研究所 | 論文
- 1.58μm帯を用いた640Gb/s DSF 400km WDM 伝送実験
- 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
- ウエハ内一括形成されたディチューニング制御広波長域(>70 nm)異波長DFB-LD
- 29a-ZC-5 狭幅選択MOVPE成長におけるMQW構造の平坦化条件
- フィールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
- 19pYJ-6 歪み誘起GaAs量子点の発光の偏光特性
- 25pXC-8 歪み誘起GaAs量子点の非線形発光
- 27pYC-13 自己形成型InP量子点における発光の明滅現象
- 27pYC-11 InP Stressorにより量子井戸に形成されるGaAs量子ドット
- Sic基板上AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- AlGaN/GaN HJFETのL帯パワー特性
- [招待論文]マイクロ波帯高出力AlGaN/GaN HJFET
- SiC基板上のL帯高出力AlGaN/GaNヘテロ接合FET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 薄層化サファイア基板上の15W出力AlGaN/GaN系ヘテロ接合FET
- InP基板上長波InAs量子ドットレーザ
- 自己形成量子ドット面発光レーザによる偏光制御
- 自己形成量子ドットレーザの利得と発振特性
- 自己形成量子ドットを用いた面発光レーザ
- 半導体中の共鳴励起非線形光学効果に伴う波長シフトを利用したフェムト秒全光スイッチ
- モード同期半導体レーザーを用いた光サンプリング計測