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Nec 先端デバイス開発本部 | 論文
- BiCMOSにおける基板クロストークの評価
- 5)1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンIT-CCDイメージセンサ(〔情報センシング研究会 コンシューマエレクトロニクス〕合同)
- AV-DSPDアーキテクチャを用いた4.25GHz BiCMOSクロックリカバリ回路
- CCDイメージセンサにおけるフォトダイオード特性向上技術 : 感度改善、VODシャッター電圧低減
- プロセス 0.18μm世代SiおよびSiGe-BiCMOS技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- SiGeBiCMOS技術における熱処理トレードオフおよびボロンスパイク効果低減の検討
- 自己整合型SiGeバイポーラ技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- SC-9-2 選択エピによる自己整合型SiGeペースバイポーラ技術
- 高フレームレート撮像が可能な1/3インチ130万画素単層電極CCDの開発
- 単層電極構造1/2インチ130万画素プログレッシブスキャンCCDの開発
- リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
- リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
- リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
- マルチ・モード・パーソナル通信用低電圧広帯域BiCMOSトランシバー・チップ
- 6ns 1.5V 4Mb BiCMOS SRAMの低電圧回路技術
- 400MHz 64ビットBiCMOS ALU
- 1.8-5.4GHz帯2V動作BiCMOSダウンコンバータ及びアップコンバータ
- SRAM用ビット線振幅最適化回路(ASC回路)
- P-channelアクセストランジスタSRAMセル(II)
- NMOS増幅器の高周波特性における短ゲート化の影響