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Nec マイクロエレクトロニクス研究所 | 論文
- 2p-E-3 超高真空STMによるSi(100)-c(4×4)表面の観察
- プロセスの微細化に伴うデバイスばらつきの回路動作への影響
- 6ns 1.5V 4Mb BiCMOS SRAMの低電圧回路技術
- 400MHz 64ビットBiCMOS ALU
- SRAM用ビット線振幅最適化回路(ASC回路)
- P-channelアクセストランジスタSRAMセル(II)
- 3)新配線小型ショットキバリアIR-CCDイメージセンサ(情報入力研究会)
- ATM-LANトランシーバLSI用A/D変換回路
- ATM-LAN用3.3V 51.84Mb/s 16-CAPトランシーバLSI
- ATM-LANトランシーバLSI用AGC回路
- 8ビット 200Ms/s 500mW BiCMOS A/D変換器
- 8ビット 2OOMs/s 500mW BiCMOS A/D変換器
- 26a-Y-3 Si(100):As表面のSTM観察
- 高出力Siバイポーラトランジスタにおける歪解析
- p層バッファによるドレインラグ現象のシールド効果
- ホールトラップ型基板におけるHJFETドレインラグ現象の解析
- 電圧印加エッチストップによる貼り合わせSOIの薄膜化
- 28p-YL-2 ラマン分光法によるSiクラスターの構造決定
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
- 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)