2p-E-3 超高真空STMによるSi(100)-c(4×4)表面の観察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1990-09-12
著者
関連論文
- 気相成長の反応モデル--GaAsエピタキシャル成長の表面反応 (結晶工学)
- 26p-P-9 Si-A1吸着系の表面構造
- 29a-D-3 Si(100)-c(4×4) 表面再配列構造
- 1a-S-1 Si(110)-Geの超格子構造
- 2p-E-3 超高真空STMによるSi(100)-c(4×4)表面の観察
- 超格子構造と選択的な不純物ド-ピングによって化合物半導体の電子密度を上げる--HEMTや発光ダイオ-ドなど化合物半導体デバイスの性能が上がる
- 26a-Y-3 Si(100):As表面のSTM観察
- 超ドープ構造