水谷 隆 | 日本電気基礎研

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概要

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関連著者

• 水谷 隆

  日本電気基礎研

• 馬場 寿夫

  日電基礎研

• 馬場 寿夫

  日本電気 基礎研

• 水谷 隆

  日本電気(株)中央研究所

• 渡辺 久恒

  日本電気(株)中央研究所

• 井手 隆

  Nec マイクロエレクトロニクス研究所

• 井手 隆

  日本電気基礎研

• 馬場 寿夫

  日本電気・基礎研究所

• 小川 正毅

  日本電気・基礎研究所

• 水谷 隆

  日本電気・基礎研究所

著作論文

• 気相成長の反応モデル--GaAsエピタキシャル成長の表面反応 (結晶工学)
• 2p-E-3 超高真空STMによるSi(100)-c(4×4)表面の観察
• 超格子構造と選択的な不純物ド-ピングによって化合物半導体の電子密度を上げる--HEMTや発光ダイオ-ドなど化合物半導体デバイスの性能が上がる
• 超ドープ構造

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