超ドープ構造

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概要

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• Super-doped structure (SDS) is reviewed. This is a very short period AlAs/GaAs superlattice in which the GaAs mid-layers are selectively doped with Si donor impurities, and is able to suppress the DX-center formation in n-type Al-Ga-As system. A new SDS concept and structural optimizations for replacing Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-</SUB><SUB>x</SUB>As alloys and realizing high electron concentration are discussed. Superior electrical properties of SDS are shown in comparison with n-type Al<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-</SUB><SUB>x</SUB>As (x>0.2) alloys. The applications of SDS to high speed devices and the prospects of other materials using this concept are presented. [J. Cryst. Soc. Jpn. <B>28</B>, <I> 142</I> (1986) ] .

• 日本結晶学会の論文

著者

• 馬場 寿夫

  日電基礎研

• 水谷 隆

  日本電気基礎研

• 馬場 寿夫

  日本電気 基礎研

• 馬場 寿夫

  日本電気・基礎研究所

• 小川 正毅

  日本電気・基礎研究所

• 水谷 隆

  日本電気・基礎研究所

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