超格子構造と選択的な不純物ド-ピングによって化合物半導体の電子密度を上げる--HEMTや発光ダイオ-ドなど化合物半導体デバイスの性能が上がる

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日経BP社の論文

著者

• 馬場 寿夫

  日電基礎研

• 水谷 隆

  日本電気基礎研

• 馬場 寿夫

  日本電気 基礎研

関連論文

• 気相成長の反応モデル--GaAsエピタキシャル成長の表面反応 (結晶工学)
• 28a-D-7 AlAs中のSiの局在振動モード
• 24p-M-1 GaAs中の1ML-AlAsに局在したTOフォノン
• 5a-D-10 A1GaAsの中のA1の赤外吸収局在振動モード
• 2p-E-3 超高真空STMによるSi(100)-c(4×4)表面の観察
• 超格子構造と選択的な不純物ド-ピングによって化合物半導体の電子密度を上げる--HEMTや発光ダイオ-ドなど化合物半導体デバイスの性能が上がる
• AlGaAs-GaAs超格子の浅い不純物準位とDXセンタ- (超格子・多層膜) -- (半導体超格子の電子状態)
• 超ドープ構造

スポンサーリンク