電圧印加エッチストップによる貼り合わせSOIの薄膜化
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概要
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貼り合わせSOI基板の支持基板とエッチング溶液間に電圧を印加して、KOHエッチングすることでSOI活性層の薄膜/均一化を行った。SOI活性層膜厚4±0.5μmの6インチ貼り合わせ基板を出発材料として、膜厚ばらつき±0.1μm以下の均一化を達成した。エッチング後の平均膜厚は印加電圧50〜75Vに対して、0.8〜2.6μmが得られた。エッチング中のリーク電流を低減することで、膜厚均一性は5インチ基板に対して、0.5μm±5%まで改善した。エッチストップには、エッチング中の電子の挙動が重要な役割を果たしていると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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