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Nec基礎研究所 | 論文
- 30p-ZE-1 TlSr_2CaCu_2O_7のNMR(2)
- 単一電源動作CDMA用MMICパワーアンプ
- 7th European Conference on Applied Superconductivity [EUCAS2005]
- 4MbMRAMとその応用(新メモリ技術とシステムLSI)
- 4Mb-MRAMのインテグレーション技術
- 高耐熱 Ni_xFe_/Al-oxide/Ta フリー層を用いた強磁性トンネル接合の磁化反転特性
- 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- ジョセフソン256ワード16ビットRAMの高周波クロック動作
- 高速ジョセフソン記憶回路技術
- 磁束トラップ防止技術と4KRAMへの適用
- ECRプラズマエッチングとバイアススパッタ平坦化によるジョセフソン記憶セルの微細化
- ジョセフソンデジタルLSI技術
- ジョセフソン記憶回路の高周波クロック動作 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 2000ゲートジョセフソン論理回路のためのトランスフォーマーによるGHzクロック供給実験 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- ジョセフソン256ワールド16ビットRAMの設計
- GHzクロックメモリテスター(JBIST)の測定評価
- ジョセフソンBISTシステムの設計
- ジョセフソンドライバ回路のGHzクロック動作の評価
- 大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)
- MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)