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Necデバイスプラットフォーム研究所 | 論文
- 固体電解質ナノスイッチ
- 3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ)
- 固体電解質を用いたナノスイッチ(新メモリ技術,メモリ応用技術,一般)
- 高性能LSIの機能切り替えを可能にするスイッチ素子 (特集 ここまできたモバイルITの材料技術--ユビキタス社会の基盤を支えるのはこれだ!)
- ナノバイオチップによるDNA分離
- [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
- SC-9-7 単一電子トランジスタを用いた多値記憶素子
- 微細MOSFET中のキャリア伝導
- ナノスケールMOSトランジスタと多値単一電子メモリの研究 (特集:Siナノデバイス)
- 14nmゲートEJ-MOSFETの作製と電気的特性の評価
- 電流誘起磁壁移動現象の高速MRAMへの応用
- 21pQG-11 単一磁壁の動的ダイナミクス(21pQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 0.1μmMRAMセルの開発
- スピンバルブ素子におけるΔR-Hクロスポイント要因
- 低電圧システム向けに有望なメモリ技術は何か?(メモリ技術)
- 混載メモリ用途に適した抵抗比読み出し型MRAM
- 90-65nmテクノロジーに対応できるオンチップメモリは?
- 電気化学反応を用いた金属ナノワイヤーの形成とそのデバイス応用
- LSI回路の再構成を可能とするナノブリッジ (ナノテクノロジー特集) -- (エレクトロニクス・フォトニクス)
- 固体電解質メモリー