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Necシステムデバイス・基礎研究本部 | 論文
- 窒素侵入型Sm_2Fe_系化合物におけるX線磁気円二色性II
- 3p-F-8 Fe_3Pt, CoPt_3におけるFe, Co L_-吸収端の磁気円二色性
- 12p-PSA-57 Tl_2Ba_2CuO_単結晶の合成と評価(IV)
- 27a-PS-51 TlBa_La_CuO_5の輸送特性
- 0.98μm LDの高効率結合系の検討
- C-3-106 波長ロッカー内蔵DFB-LDモジュール
- advancing front法を用いた三次元格子生成における安定性の向上
- advancing front法を用いた三次元格子生成における安定性の向上
- ポリマ導波路内蔵光電気集積プラットフォームとそのモジュール応用(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ポリマ導波路内蔵光電気集積プラットフォームとそのモジュール応用(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 石英膜中に形成した位置決めマスクによるLD-導波路無調整結合
- C-4-35 端面非注入型リッジ埋め込み構造を有する980nmレーザの高出力特性
- 高速データリンク用0.98μm InGaAs/AlGaAsレーザの25-100℃ APCフリー 600Mb/s変調動作
- 100℃-2.5Gb/s高速変調動作の0.98-μm InGaAs/AlGaAsレーザ
- 0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの端面劣化寿命
- 光ファイバー増幅器励起用高出力半導体レーザー
- その場観察RIBEを用いて作製した0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの発振特性
- 28a-YC-4 X線磁気円二色性における3d遷移金属化合物の多電子励起状態
- 30p-L-6 ホイスラー合金Cu_2MnAlにおけるCu, Mn K-吸収端MCXD
- 30p-L-5 Fe_3(Al_Si_x)合金系におけるFe K-吸収端MCXD