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NECナノエレクトロニクス研究所 | 論文
- C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 部分回折格子LDを用いた表面実装型LDモジュールの雑音特性
- CW 20W準ミリ波帯AlGaN/GaN-FET増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-3-113 リング共振器型可変分散補償器の伝送特性
- C-3-112 リング共振器型可変分散補償器
- 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 閾値電圧制御性に優れたノーマリオフAlGaN/GaN HFET(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- 2.5Gb/s DFB/MOD の通常分散ファイバー800km伝送
- MOVPE選択成長を用いた光変調器集積化光源
- プリバイアス印加による変調器集積化光源のブルーチャープ機構の解析とトレランスの検討
- バンドギャップ制御選択MOVPEによる10Gb/s用変調器集積化光源