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Murata Manufacturing Co. Ltd. | 論文
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- Electrical and Mechanical Properties of Pb(Zr,Ti)O_3 Ceramics Related to Mn Ion Diffusion
- Carbon in Grown-in Defects in Czoehralski Silicon and Its Influence on Gate-Oxide Defects
- Analysis of Side-Wall Structure of Grown-in Twin-Type Octahedral Defects in Czochralski Silicon
- Octahedral Void Structure Observed in Grown-In Defects in the Bulk of Standard Czochralski-Si for MOS LSIs
- Octahedral Void Structure Observed at the Grown-In Defects in the Bulk of Standard CZ-Si for MOSLSIs
- S0404-2-3 衝撃圧縮時の生分解性プラスチックの温度変化(衝撃問題の新たなる展開と応用(2))
- 石油系生分解性プラスチックの圧縮特性に及ぼすひずみ速度および温度の影響
- 1545 でんぷん系生分解性プラスチックの動的圧縮特性に与える温度の影響(S11-4 バイオマス由来材料の成形加工と特性評価(4)生分解性プラスチックの成形性と機械的性質,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 二次元規則配列された粒子群への飛しょう体の衝突 : 層数および異材層の影響
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- 1763 異種粒子層を含む二次元粒子集合体への鋼球衝突の離散要素法シミュレーション(G03-4 衝突・衝撃解析,G03 材料力学)
- ホプキンソン棒を用いた生分解性でんぷんプラスティックスの動的圧縮特性の評価
- Real-Time Observations of Appearance of Crosshatched Pattern during Molecular Beam Epitaxy of Compressive InGaAs on InP
- Lateral Metalorganic Molecular Beam Epitaxy of GaAs on Patterned (111)B Substrates
- A New Method for Atomic-Layer-Controlled Molecular Beam Epitaxy of GaAs Exploiting the Desorption of the Excess Ga Atoms
- The Mechanism of Self-Limiting Growth of Atomic Layer Epitaxy of GaAs by Metalorganic Molecular Beam Epitaxy Using Trimethylgallium and Arsine
- Desorption of the Excess Gallium Atoms at the Surface of Gallium Arsenide and Application to Atomic Layer Epitaxy
- Real-Time Observation of GaAs (001) Surfaces During Molecular Beam Epitaxy by Scanning Microprobe Reflection High Energy Electron Diffraction : Surfaces, Interfaces and Films